光刻工艺开发
分析焦距-曝光矩阵、Bossung 曲线、工艺窗口、CD 响应、随机波动和下一轮 DOE 点。
半导体研发
从想法到实验，都在一个 AI 工作区。
维思纳帮助半导体科学家和工程师在一个可部署的科学工作区中，从文献和 IP 研究推进到材料筛选、实验设计、模拟、数据分析和可供决策的报告。
文献 + IP
笔记本 + 数据
私有部署
证据输入
把早期技术问题转化为带引用的文献简报、专利格局、材料比较和开放问题清单。
实验规划
把证据和假设转化为 DOE 表、计量计划、对照、验收标准和下一轮测试建议。
笔记本执行
使用可复现笔记本处理工艺窗口、晶圆图、缺陷指标、代理模型和之后可检查的数据分析。
决策工件
生成技术简报、CSV 表格、图、笔记本、相容性备忘录、方法草稿和可供评审的报告。
为什么重要
当想法、证据、实验和数据分散在不同工具中时，研发会失去动量。
半导体项目很少从单个数据集开始。它通常从材料、工艺窗口、专利、设备时间、模拟假设、计量导出和下一轮实验的问题开始。维思纳把这些步骤带入一个可追踪工作区。
01
想法
02
文献
03
IP
04
材料
05
实验
06
模拟
07
数据
08
报告
半导体工作流
为技术问题和工程决策之间的工作而构建。
使用维思纳，在工作从概念推进到实验时，让问题、证据、假设、文件、模拟、数据和报告保持连接。
晶圆图和计量分析
把晶圆级信号分解为径向趋势、残差、场效应、离群点、CDU、套刻、膜厚和缺陷分布。
缺陷与失效分析
聚类缺陷形貌，把工艺变化连接到失效假设，并生成有针对性的下一轮测试计划供评审。
材料与工艺化学
筛选候选材料的相容性、残留风险、释气担忧、溶解性、危险性、工艺性能和支持证据。
空中像和光刻胶轮廓建模
查看 图案几何、光源假设、阈值行为、成像轮廓和边缘斜率如何影响光刻决策。
随机波动与鲁棒性
可视化线边集合、CD 分布、工艺不确定性，以及对焦距、剂量和材料变化的鲁棒性。
具体输出
不是泛泛回答，而是工程师可以检查、重跑、编辑和分享的工件。
维思纳把 AI 推理与科学工作界面结合起来：工作区文件、笔记本、文献和专利研究、化学智能、方法草拟、数据分析和报告生成。
工艺窗口笔记本
DOE 建议表
晶圆图分解
缺陷形貌嵌入
材料取舍图
文献和专利简报
相容性备忘录
方法开发实验方案
技术报告
控制
你的想法、数据、IP 和控制权。
维思纳可以作为托管科学工作区使用，也可以部署到半导体团队需要更强数据控制的位置。企业部署可以把 AI 连接到私有文件、实验数据、专有工艺模型、内部档案、受控计算、私有模型端点和访问受控工作区。
维思纳支持技术格局分析和 IP 研究工作流，但不提供法律层面的自由实施结论。它也不是生产 OPC、扫描仪控制系统、TCAD、EDA 或校准光刻模拟器的替代品。